1: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:46:11.24 ID:DLw+cAKZ9
半導体世界大手の台湾積体電路製造（TSMC）が熊本県内で10月に着工した新工場の計画を変更し、先端半導体の生産を検討していることが分かった。

https://www.nikkei.com/article/DGXZQOGM10BMV0Q5A211C2000000/
1001: 以下名無しさんに代わりまして管理人がお伝えします 1848/01/24(？)00:00:00 ID:money_soku


　熊本のインフラ対応コストは確かにかかるだろうけれど、経済安全保障的なメリットはかなり高まるかと。
　これはポジティブニュースだと思うお。
pc









1001: 以下名無しさんに代わりまして管理人がお伝えします 1848/01/24(？)00:00:00 ID:money_soku


　この分野での海外依存度を大きく下げられるだろうな。
aahub_20250822032518



現在よく読まれているニュース！：





以下2chの反応と管理人の反応です









5: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:50:15.22 ID:8jGXa2hz0
ほしいのはDRAMです

34: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:10:44.21 ID:mEzOHNVD0
>>5>>21
AI向け先端DRAMはマイクロン広島で作るだろ。

6: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:50:39.66 ID:KP+tG0K20
4ナノか
フォトレジストが光る

9: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:51:47.33 ID:YKZtD8YW0
台湾侵攻の危機を感じてるんだな

11: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:52:35.80 ID:xafqfRY20
＞国内安定供給につながる。

外国企業が外国に輸出する用なのに
なんでそう思うんだw

12: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:52:38.25 ID:9Ka9KcPY0
はよ技術だけ吸い取って冥土陰ジャパン復活させろや

24: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:00:35.70 ID:MBjMbs/P0
>>12
日本人経営陣じゃ最先端半導体なんて無理だろ
どうしても根回し根回しで判断が遅いもん

16: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:54:31.72 ID:hl7cIvvb0
半分亡命先の確保とリスク分散かね

20: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:58:21.70 ID:m9J4TzHm0
日本の半導体産業、結構がんばってて草

　Canonのナノインプリント　→　DRAMのHVM条件満たす。MicronのHBM製造ラインでついに離陸か。1.4nm世代のロジック半導体にも対応
　NTTの光電融合　→　Broadcomと協業。PEC-2が来年ついにデータセンター登場。PEC-3で切り札のメンブレン投入
　Sonyのイメージセンサー　→　モバイルだけでなく車載用でも優勢。200MPセンサーがローンチ
　Kioxia　→　NANDの3D積層でトップ争い。Nvidiaと協業。NanyaとOCTRAM（次世代DRAM）開発。光電融合用の光SSDも開発。SanDiskと米NANDファブ共同運営
　Micron Japan　→　DRAM最先端ノード1γで競合のサムスン・SKに先行。NvidiaにHBM・SOCAMM供給。広島ファブに2兆円の支援
　Rapidusの2nm　→　日の丸半導体が復活か。枚葉式、EUV・NILのハイブリッド露光で差別化
　TSMC熊本・JASM　→　日台友好。第2工場で4nm量産

　Tokyo Electron　→　クライオエッチング開発。NAND400層を超えるあたりから優位性。ハイブリッドボンディングなど後工程装置にも照準
　Shin-Etsu　→　ウェハ世界No.1シェア。実はレアアースの精製技術も世界最高（6N純度）
　JSR　→　金属酸化物レジスト（MOR）が次世代EUVレジストの最有力候補
　三井化学　→　ASML・imecと組んで次世代EUVペリクルの開発
　富士フイルム　→　ハイブリッドボンディング用のCMPスラリーで攻勢
　DNP　→　1.4nm世代相当のロジック半導体に対応可能なテンプレート
　Ambiq　→　日本人CEOが今年アメリカでこっそり上場エッジAI用ファブレス。MRAMなど日本の省電技術を米市場に持ち込むチャンス

　SiCパワーデバイス　→　トヨタ車のインバーターで採用拡大
　ダイヤモンド半導体　→　2026年1月にはダイヤモンド半導体のサンプルを製造販売。複数の大手電機メーカーに提供予定

21: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 20:58:31.32 ID:He+p5vMh0
今足りないメモリを大増産しろよ

25: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:02:58.67 ID:k0tN/IDd0
TSMCは一応2nm製造を目指してて
日本のラピダスは1.4nm目指してる

4nmがどんだけ技術的に枯れてるかってこと

61: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:31:51.27 ID:OYg6me5b0
>>25
TSMCの2ナノは量産目前でラピダスの1.4ナノは夢物語を騙ってるだけだからその2つを同列にしたらダメだｗ
ラピダスなんか2ナノの量産すらできるか全然分からん

27: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:03:26.98 ID:LVqimaPe0
1ナノって、例えば1000メートルが1ミリだとすると1000メートルの中の1ミリが1ナノなんだぜ

30: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:06:08.37 ID:j/Ho91f60
日本と結びつき強くしとかないと
中国に対して牽制にならないからな



32: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:09:05.40 ID:m9J4TzHm0
TSMCが高い歩留まりを達成している理由は
各レイヤーごとに最適なレジストを使い分け、そのプロセスチューニングが異常に上手いから

特に強いのがレジストメーカーとの共同開発・最適化
TSMCはASMLだけでなくレジストメーカー（JSR、東京応化、住友化学等）とも共同開発
2nmではフォトレジストの分子数個分の位置ずれが動作に影響する欠陥となったり
ラインエッジラフネス（LER）と呼ばれるレジスト端面の寸法ばらつきが歩留まりを低下させている

レイヤーごとにレジストを最適化している
EUV層でも、パターン密度が高い層、ライン/スペース中心の層、コンタクト中心の層、多重パターニングする層
などで使うレジストは違う。同じEUV露光でもレジスト処方は10層10通りというレベル

レジスト・装置・エッチング・統計制御の最適化が歩留まりの本質

35: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:11:09.39 ID:RohDNgdP0
4nmってCPU現行世代とかGPUだと前世代だろ
半導体需要自体は増えるだろうけどただの下請けじゃん

36: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:12:08.39 ID:m9J4TzHm0
日本は素材・装置を握っており、これが最大の戦略的優位
TSMC、Micron、Intel等に限定供給し、中国・韓国の企業には供給を制限する

Tokyo Electron等の装置メーカーはグローバル展開が大きく、韓国・台湾・中国向けビジネスが重要
中国・韓国向け販売を制限されれば売上に響き、雇用にも波及。これをどう調整するかが課題
代替市場創出支援で、販売制限の痛みを和らげる
必要なら国が一部リスクを負担（補助・税控除）して国内装置産業を保護

さらにMicronのファブ拡張、Kioxia・SanDisk統合の動きを利用して日米の需要を作り、装置・素材の大量購入につなげる
実需を作れば装置・素材メーカーの購入先を日本に向けられる

37: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:13:12.38 ID:uzCYuYiJ0
北海道のラピュタみたいな名前の会社が作ってるのは2ナノがもっと細かいやつ
製品化するまでまだまだ？

40: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:13:42.73 ID:m9J4TzHm0
高純度素材は短期で代替が難しく、これは半導体サプライチェーンの構造上、日本の最も強い武器
歩留まりに直結するため、Samsungなどの競合の最先端量産を遅らせられる可能性がある
歩留まり10ポイント落ちただけで、量産ラインが赤字化。代替企業は少なく、ほぼ日本企業の寡占

したがって供給制限は最短で競合の競合の生産能力に機能的障害を与えられる
この戦略は攻撃ではなく、TSMCやMicronなど同盟を守る防御策だ

41: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:14:00.02 ID:k9kN87Oj0
電力大丈夫なの？

44: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:14:47.72 ID:pZbMtGxF0
別に最先端でなくてもいいと思うんだよね
半導体は湯水のごとく必要なんだし、とりあえず作って世界により多く流していくことが大事と思うね

49: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:20:00.75 ID:hQfHmZam0
昔は九州が半導体生産で優勢だったようだが
日本の半導体はなんでダメになったんだ？

58: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:27:54.59 ID:wXj0lgeQ0
>>49
日本経済が世界一とか言って浮かれてたらアメリカに自動車を取るか半導体を取るかの二者択一を迫られたから

55: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:26:55.72 ID:m9J4TzHm0
Google TensorはSamsung 4nmで歩留まり不良・性能不安定の問題が指摘されていた
その結果、Pixel 9世代ではSamsungを切り、TSMCへ全面移行

素材の微差で歩留まり崩壊したのがSamsung。現実が答え
不純物混入事件や工程安定性の低下が複数の報道で指摘された
歩留まりは素材の安定供給で決まるという証拠そのもの
最先端は、原料レベルの純度差が勝敗を決める

65: 稼げる名無しさん ：2025/12/11(木) 21:34:23.20 ID:m9J4TzHm0
最先端の露光技術はASMLのEUVと、CanonのNILを組み合わせたハイブリッド式になる

EUVはHigh-NAでもk1が低すぎてプロセスが複雑
レジストのラインエッジラフネス・パターン崩れ。多重パターニングが増えてコスト増
NILは特定レイヤ（Cut/Contact/Backside系）でコスト優位
Multi-Patterning削減。Overlay精度も2025〜27でEUVレベルへ迫る

そしてEUVの材料は完全に日本が握っている
EUVレジスト（JSR・TOK・住友化学）、EUVマスクブランク（AGC）、EUVマスク材料（HOYA）
EUVミラー材（UBE・東レ）、EUVペリクル（三井化学・ASML日本拠点）

NIL材料は言わずもがな日本企業の寡占。NILが普及するほど日本素材の重要度は増す

Rapidus、TSMC、Micronは材料アクセスで優位性を得るから最先端で有利になる
特にRapidusは材料メーカーが直接PDCに入って共同開発中
中国韓国はどちらも使いこなせずに終わる

1001: 以下名無しさんに代わりまして管理人がお伝えします 1848/01/24(？)00:00:00 ID:money_soku













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